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2026-01
星期 六
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广州接触式光刻 广东省科学院半导体研究所供应
用O2等离子体对样品整体处理，以清理显影后可能的非望残留。特别是负胶但也包括正胶，在显影后会在原来胶-基板界面处残留聚合物薄层，这个问题在结构小于1um或大深-宽比的结构中更为严重。当然过程中留胶厚度也会降低，但是影响不会太大。在
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2026-01
星期 六
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广州微纳光刻 广东省科学院半导体研究所供应
氧等离子去胶是利用氧气在微波或射频发生器的作用下产生氧等离子体，具有活性的氧等离子体与有机聚合物发生氧化反应，是的有机聚合物被氧化成水汽和二氧化碳等排除腔室，从而达到去除光刻胶的目的，这个过程我们有时候也称之为灰化或者扫胶。氧等离
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2026-01
星期 六
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广州激光器光刻 广东省科学院半导体研究所供应
掩膜对准光刻及步进投影式光刻机中常用汞灯作为曝光光源，其发射光谱包括g-(波长435nm)、h-(波长405nm)和i-线(波长365nm)。一个配有350wHg灯的6英寸掩模对准器通常能获得大约光输出。15–30mw/cm2，i
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2026-01
星期 六
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广州精密晶圆键合外协 广东省科学院半导体研究所供应
研究所利用其作为中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会倚靠单位的优势，组织行业内行家围绕晶圆键合技术开展交流研讨。通过举办技术论坛与专题研讨会，分享研究成果与应用经验，探讨技术发展中的共性问题与解决思路。在近期的一次研讨中，来自不
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2026-01
星期 六
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广州高温晶圆键合价钱 广东省科学院半导体研究所供应
晶圆键合通过分子力、电场或中间层实现晶圆长久连接。硅-硅直接键合需表面粗糙度<0.5nm及超洁净环境，键合能达2000mJ/m²；阳极键合利用200-400V电压使玻璃中钠离子迁移形成Si-O-Si共价键；共晶键合采用金锡合
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