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2026-07
星期 二
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广州直流磁控溅射技术 广东省科学院半导体研究所供应
设计非金属薄膜磁控溅射方案时，需充分考虑材料特性、设备性能和应用需求。非金属薄膜通常包括绝缘体和半导体材料，其溅射过程中对靶材纯度、溅射气体种类及压力、基板温度等参数的控制尤为重要。一个科学合理的溅射方案能够有效提升薄膜的均匀性、
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2026-07
星期 二
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广州反应磁控溅射步骤 广东省科学院半导体研究所供应
研究所对磁控溅射的等离子体调控机制开展了系统性研究，开发了基于辉光光谱的实时反馈控制系统。该系统首先通过测试靶材的纵向沉积膜厚度分布，预调整磁芯磁场强度分布以获得预设离子浓度；溅射过程中则实时监测靶材表面离子与气体离子的比例关系，
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2026-07
星期 二
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广州直流磁控溅射平台 广东省科学院半导体研究所供应
广东省科学院半导体研究所开发的磁控溅射复合涂层技术在高级装备领域展现出巨大潜力。通过将CrN基涂层与自润滑相结合，采用多靶磁控溅射系统实现分层沉积——底层通过高能脉冲磁控溅射形成高结合力过渡层，表层通过平衡磁控溅射引入MoS₂润滑
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2026-07
星期 一
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广州反应磁控溅射优点 广东省科学院半导体研究所供应
氮化硅磁控溅射技术利用磁控溅射设备中磁场的作用，增强等离子体密度，提高入射粒子的能量和溅射效率，从而获得均匀且致密的氮化硅薄膜。氮化硅薄膜在半导体器件中常用作绝缘层、钝化层以及保护涂层，其优异的电学和机械性能对器件的稳定性和寿命有
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星期 一
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广州直流磁控溅射平台 广东省科学院半导体研究所供应
该研究所将磁控溅射技术与半导体器件封装工艺深度融合，开发了高性能金属化薄膜制备方案。针对MEMS器件的微型化需求，采用射频磁控溅射技术在硅基衬底上沉积Ti/Au复合金属层，通过控制靶基距与基片温度，使金属膜层厚度精度达到±2nm。
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