在所述栅极结构的每一侧包括二个所述第二屏蔽电极结构，在其他实施例中，也能改变所述栅极结构和对应的所述第二屏蔽电极结构的数量和位置。所述沟槽101的步进为1微米～3微米，所述沟槽101的步进如图3a中的d1所示。在所述漂移区1和所述集电区9之间形成有由一导电类型重掺杂区组成的电场中止层8。本发明一实施例中，所述igbt器件为n型器件，一导电类型为n型，第二导电类型为p型。在其他实施例中也能为：所述igbt器件为p型器件，一导电类型为p型，第二导电类型为n型。本发明一实施例具有如下有益技术效果：1、本发明一实施例对器件单元结构中的栅极结构的屏蔽结构做了特别的设置，在栅极结构的两侧设置有形成于沟槽101中的屏蔽电极结构即第二屏蔽电极结构，再加上形成于栅极结构的沟槽101底部的一屏蔽电极结构，一起作用栅极结构的屏蔽电极，这种屏蔽电极结构由于是通过沟槽101填充形成，有利于缩小器件的沟槽101的步进，较小的沟槽101步进能从而降低igbt器件的输入电容、输出电容和逆导电容，提高器件的开关速度；2、本发明一实施例同时还将一屏蔽电极结构对应的一屏蔽多晶硅4a和第二屏蔽电极结构对应的第二屏蔽多晶硅4b都通过接触孔连接到金属源极，实现和发射区的短接。
IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。IGBT是能源转换与传输的器件，是电力电子装置的“CPU”。采用IGBT进行功率变换，能够提高用电效率和质量，具有高效节能和绿色环保的特点，是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。IGBT是以GTR为主导元件，MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。其外部有三个电极，分别为G-栅极，C-集电极，E-发射极。在IGBT使用过程中，可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小，从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。1）当IGBT栅-射极加上加0或负电压时，MOSFET内沟道消失，IGBT呈关断状态。2）当集-射极电压UCE＜0时，J3的PN结处于反偏，IGBT呈反向阻断状态。3）当集-射极电压UCE＞0时。
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