
所述漏极区域比所述沟道区域更少地被重掺杂。在一些实施例中,所述漏极区域在所述一沟槽和所述第二沟槽下方延伸。在另一方面,提供了一种二极管。该二极管包括:半导体衬底;阴极和阳极,耦合到所述衬底;一垂直晶体管,位于所述衬底中,所述一垂直晶体管包括:电耦合到所述阳极的一源极区域、垂直延伸到所述衬底中并且电耦合到所述阳极的一栅极、电耦合到所述阴极的一漏极区域、位于所述一源极区域和所述一漏极区域之间的一沟道区域、以及在所述衬底中延伸并且位于所述一栅极和所述一沟道区域之间的一栅极电介质。在一些实施例中,所述栅极是一传导区域,所述一传导区域与所述沟道区域分离一距离,所述二极管进一步包括:第二传导区域,比所述一传导区域更深地延伸到所述衬底中并且与所述漏极区域分离第二距离,所述第二距离大于所述一距离。在一些实施例中,所述二极管进一步包括:第二垂直晶体管,位于所述衬底中。
而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。整流二极管检查方法编辑首先将整流器中的整流二极管全部拆下,用万用表的100×R或1000×R欧姆档,测量整流二极管的两根引出线(头、尾对调各测一次)。若两次测得的电阻值相差很大,例如电阻值大的高达几百KΩ到无穷大,而电阻值小的几百Ω甚至更小,说明该二极管是好的(发生了软击穿的二极管除外)。若两次测得的电阻值几乎相等,而且电阻值很小,说明该二极管已被击穿损坏,不能使用。如果两次测量的阻值都是无穷大,说明此二极管已经内部断开,不能使用。整流二极管常用型号编辑二极管型号,用途,高反向工作电压VR,大平均整流电流IF1N4001硅整流二极管50V,1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)1N4002硅整流二极管100V,1A,1N4003硅整流二极管200V,1A,1N4004硅整流二极管400V,1A,1N4005硅整流二极管600V,1A,1N4006硅整流二极管800V,1A,1N4007硅整流二极管1000V,1A,1N4148硅开关二极管75V,4PF,Ir=25nA,Vf=1V,1N5391硅整流二极管50V,,(Ir=10uA,Vf=)1N5392硅整流二极管100V,,1N5393硅整流二极管200V,,1N5394硅整流二极管300V,,1N5395硅整流二极管400V,,1N5396硅整流二极管500V,,1N5397硅整流二极管600V,,1N5398硅整流二极管800V,。
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