浙江Mitsubishi三菱IGBT模块销售厂家 江苏芯钻时代电子科技供应

    在所述栅极结构的每一侧包括二个所述第二屏蔽电极结构，在其他实施例中，也能改变所述栅极结构和对应的所述第二屏蔽电极结构的数量和位置。所述沟槽101的步进为1微米～3微米，所述沟槽101的步进如图3a中的d1所示。在所述漂移区1和所述集电区9之间形成有由一导电类型重掺杂区组成的电场中止层8。本发明一实施例中，所述igbt器件为n型器件，一导电类型为n型，第二导电类型为p型。在其他实施例中也能为：所述igbt器件为p型器件，一导电类型为p型，第二导电类型为n型。本发明一实施例具有如下有益技术效果：1、本发明一实施例对器件单元结构中的栅极结构的屏蔽结构做了特别的设置，在栅极结构的两侧设置有形成于沟槽101中的屏蔽电极结构即第二屏蔽电极结构，再加上形成于栅极结构的沟槽101底部的一屏蔽电极结构，一起作用栅极结构的屏蔽电极，这种屏蔽电极结构由于是通过沟槽101填充形成，有利于缩小器件的沟槽101的步进，较小的沟槽101步进能从而降低igbt器件的输入电容、输出电容和逆导电容，提高器件的开关速度；2、本发明一实施例同时还将一屏蔽电极结构对应的一屏蔽多晶硅4a和第二屏蔽电极结构对应的第二屏蔽多晶硅4b都通过接触孔连接到金属源极，实现和发射区的短接。

    本发明涉及一种半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种igbt器件；本发明还涉及一种igbt器件的制造方法。背景技术：半导体功率器件是电力电子系统进行能量控制和转换的基本电子元器件，电力电子技术的不断发展为半导体功率器件开拓了广泛的应用领域。以绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolartransistor，igbt)和金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)为标志的半导体功率器件是当今电力电子领域器件的主流，其中，igbt器件是一种电压控制的mosfet和双极型三极管(bjt)的复合型器件。从结构上，igbt的结构与垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(vdmos)相似，只是将vdmos的n+衬底换为p+衬底，引入的电导调制效应，克服了vdmos本身固有的导通电阻与击穿电压的矛盾，从而使igbt同时具有双极型功率晶体管和mosfet的共同优点：输入阻抗高、输入驱动功率小、导通压降低、电流容量大、开关速度快等。由于igbt独特的、不可取代的性能优势使其自推出实用型产品便在诸多领域得到广泛的应用，例如：太阳能发电、风力发电、动车、高铁、新能源汽车以及众多能量转换领域。为了进一步降低igbt的导通压降，igbt的栅极结构从平面栅结构优化到沟槽栅结构，沟槽栅igbt将沟道从横向变为纵向。

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