该ic芯片与该散热基板的热接口材料层90％以上成分为银，孔隙率小于25％，且厚度为1～15μm。藉此，本发明具有下列功效：1.本发明使用的热接口材料将不会产生任何介金属化合物，故不会因制程(环境)温度而脆化，且在高温下(＜800℃)相当稳定。2.本发明使用的热接口材料在完成热处理后含少量有机物(＜1％)，且99％以上为纯银，故长时间使用下将无有机挥发物(volatileorganiccompounds,voc)产生。3.本发明所使用的热接口材料为纯银，以高纯度银做异质界面接合用材料，其导热系数为锡银铜合金(无铅焊锡)的两倍以上，如表1所示。表1本发明与现有锡银铜合金焊料的比较锡银铜焊料本发明导电率(mω-cm)～(w/m-k)60>2004.本发明不含铅、镉、卤素等毒性物质。5.目前高功率模块的工作温度已上升至150℃，次世代高功率模块的工作温度将上升至200℃，则本发明所使用的热接口材料为纯银，将可取代无铅焊锡的锡银铜合金与传统焊锡的铅锡与银铅锡合金。6.本发明奈米银粒子与微米银粒子的比例为9:1～1:1，且因主要组成银粒子的尺寸为100nm以下的奈米银粒子，故所使用的热处理温度低于250℃，可避免电子组件在封装制程中受到高温而破坏。7.本发明采用全新非接触式探针点胶技术。
短路保护及过电流保护实际上均是对IGBT的集点极电流进行检测，无论哪个IGBT发生异常都可保护，由于电流检测内置，故无需另加检测元件。当控制电源电压Vcc下降到容许的下限值时，如果输入信号为ON，则IGBT软关断，输出警报。欠压保护采用滞环控制方式，即当Vcc恢复至上限值时，如输入信号为OFF，则解除报警。从用与IGBT、续流二极管管芯装在同一陶瓷基板上的测温元件检测基板温度，同时采用与IGBT管芯在一起的测温元件检测IGBT管芯温度。当检测出的温度超越保护温度值并持续1ms后，过热保护动作，IGBT被软关断，在2ms的闭锁期间停止工作。306警报输出功能在下桥臂侧各种保护动作闭锁期间，输出报警信号，如控制输入为ON状态，即使闭锁期已结束，报警输出功能也不复位，等到控制输入变为OFF时，报警复位，保护动作解除。在制动单元中使用的IGBT及续流二极管为内置，外界耗能电阻即可构成制动回路，小号减速时的回馈能量，抑制直流测电压的升高。4IGBT一IPM的应用IGBT一IPM既可以用于单相电路也可用于三相电路，用户只需在主接线端接上电源及负载，并向模块提供控制电源及驱动信号，配线即告完成，电路即可工作。为了提高模块的整体应用性能。
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