
大多数IPM采用两级关断模式。为缩短过流保护的电流检测和故障动作间的响应时间,IPM内部使用实时电流控制电路(RTC),使响应时间小于100ns,从而有效抑制了电流和功率峰值,提高了保护效果。当IPM发生UV、OC、OT、SC中任一故障时,其故障输出信号持续时间tFO为1.8ms(SC持续时间会长一些),此时间内IPM会门极驱动,关断IPM;故障输出信号持续时间结束后,IPM内部自动复位,门极驱动通道开放。可以看出,器件自身产生的故障信号是非保持性的,如果tFO结束后故障源仍旧没有排除,IPM就会重复自动保护的过程,反复动作。过流、短路、过热保护动作都是非常恶劣的运行状况,应避免其反复动作,因此靠IPM内部保护电路还不能完全实现器件的自我保护。要使系统真正安全、可靠运行,需要辅助的保护电路。智能功率模块电路设计编辑驱动电路是IPM主电路和控制电路之间的接口,良好的驱动电路设计对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要意义。IGBT的分立驱动电路的设计IGBT的驱动设计问题亦即MOSFET的驱动设计问题,设计时应注意以下几点:①IGBT栅极耐压一般在±20V左右,因此驱动电路输出端要给栅极加电压保护,通常的做法是在栅极并联稳压二极管或者电阻。
本实用新型属于电力电子的技术领域,尤其是涉及一种IGBT功率模块。背景技术:随着我国工业技术的迅猛发展,大型电力电子设备越来越广泛的应用于各行各业,功率等级和功率密度也越来越高,作为大型电力电子设备部件的IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管),由于使用环境特殊,要求IGBT功率模块具有结构合理、维护方便、功率密度等级高等特点。因此,IGBT功率模块常常被业界设计成一个功能完备的模块单元。但现有的IGBT功率模块设计大部分是由相互分立的IGBT元件并联再结合相当数量的直流母线电容组成,结构松散、简单,使得现有IGBT功率模块存在如下缺陷:1、由于电力电子设备整机结构体积要求越来越紧凑,并联的IGBT元件和直流母线电容数量受到相应的限制,故不能满足越来越来高功率等级和高密度的实际需求;2、解决滤波电容散热问题时,由于结构设计不合理,导致散热成本过高;3、现有IGBT功率模块一般主要有多个分立的IGBT元件并联,由于均流效果差,经常导致IGBT发热、Vce尖峰电压过高,引起IGBT失效,降低整体功率单元的寿命,增加运维成本;4、不增加或者增加不合适的放电电阻,增加拆装IGBT功率模块时的风险或成本。
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