
措施:在三相变压器次级星形中点与地之间并联适当电容,就可以减小这种过电压。与整流器并联的其它负载切断时,因电源回路电感产生感应电势的过电压。变压器空载且电源电压过零时,初级拉闸,因变压器激磁电流的突变,在次级感生出很高的瞬时电压,这种电压尖峰值可达工作电压的6倍以上。交流电网遭雷击或电网侵入干扰过电压,即偶发性浪涌电压,都必须加阻容吸收路进行保护。3.直流侧过电压及保护当负载断开时或快熔断时,储存在变压器中的磁场能量会产生过电压,显然在交流侧阻容吸收保护电路可以抑制这种过电压,但由于变压器过载时储存的能量比空载时要大,还不能完全消除。措施:能常采用压敏吸收进行保护。4.过电流保护一般加快速熔断器进行保护,实际上它不能保护可控硅,而是保护变压器线圈。5.电压、电流上升率的限制4.均流与晶闸管选择均流不好,很容易烧坏元件。为了解决均流问题,过去加均流电抗器,噪声很大,效果也不好,一只一只进行对比,拧螺丝松紧,很盲目,效果差,噪音大,耗能。我们采用的办法是:用计算机程序软件进行动态参数筛选匹配、编号,装配时按其号码顺序装配,很间单。每一只元件上都刻有字,以便下更换时参考。这样能使均流系数可达到。
附图说明图1为本发明结构示意图;图2为本发明限压电路结构示意图。图中:100限压电路、110一齐纳二极管、120第二齐纳二极管、200控制电路、300限流电路。具体实施方式下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。本发明提供一种igbt驱动电路,将分立器件实现的限压电路集成在芯片中,节省了面积,降低了成本,将限压电路与igbt的驱动电路结合在一个功能块里进一步节省了面积和成本,同时借助igbt的驱动电路中的电阻限制了限压支路的电流,降低了功耗,保护了驱动芯片的安全,请参阅图1,包括限压电路100、控制电路200和限流电路300;请参阅图1-2,限压电路100包括:一齐纳二极管110;第二齐纳二极管120与一齐纳二极管110串联,两个齐纳二极管的选择由驱动输出限压的大小决定;请再次参阅图1,控制电路200包括限压电路控制输入lp、电阻r2、下拉电阻r3和控制管n3,限压电路控制输入lp与电阻r2串联,电阻r2与控制管n3相串联。
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