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用三极管够成的电路还可以模拟其它元器件。大功率可变电阻价贵难觅，用图7电路可作模拟品，调节510电阻的阻值，即可调节三极管C、E两极之间的阻抗，此阻抗变化即可代替可变电阻使用。图8为用三极管模拟的稳压管。其稳压原理是：当加到A、B两端的输入电压上升时，因三极管的B、E结压降基本不变，故R2两端压降上升，经过R2的电流上升，三极管发射结正偏增强，其导通性也增强，C、E极间呈现的等效电阻减小，压降降低，从而使AB端的输入电压下降。调节R2即可调节此模拟稳压管的稳压值，等效为稳压管。深圳市凯轩业科技致力于晶体管生产研发，有需求可以来电咨询！深圳肖特基二极管

TO-252封装的超快速恢复二极管MUR540、MUR560、MUR580平均整流输出电流为5A，反向重复峰值电压为400v、600v、800v。MUR1040、MUR1060、MUR1080平均整流输出电流为10A，反向重复峰值电压为400v、600v、800v。六款超快速恢复二极管，均采用TO-252封装，适用于各种整流应用。封装TO-252属于贴片式背带散热片，该产品可以较好的替代传统直插DO-27封装，减少了传统直插带来的人工成本及再加工成型带来的压力损伤等因素，具有效率更高、产品稳定性能更佳、空间占用小等优势。深圳肖特基二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管.

场效应管(MOS管)1、场效应管英文缩写：FET(Field-effecttransistor)2、场效应管分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管3、场效应管电路符号：4、场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)注：场效应管属于电压控制型元件，又利用多子导电故称单极型元件，且具有输入电阻高，噪声小，功耗低，无二次击穿现象等优点。5、场效应晶体管的优点：具有较高输入电阻高、输入电流低于零，几乎不要向信号源吸取电流，在在基极注入电流的大小，直接影响集电极电流的大小，利用输出电流控制输出电源的半导体。

三极管可以并联使用以扩大电流容量，也可以组成达林顿管的形式来提高三极管的增益。DB681是一款NPN型的达林顿管，它是由两个NPN三极管组成，***个三极管的发射极连接到弟二级三极管的基极。其中还集成有两个三极管的Rbe电阻。它的耐压为：Vceo=100V。BD681达林顿三极管下面是测量BD681的C、E之间的击穿电压电流曲线，可以看到这款达林顿三极管的实际Vceo为190V。NPN型达林顿三极管BD681的C、E击穿电压电流曲线DB682是一款PNP型号达林顿管，通常与BD681组成互补桥电路功率输出。它的C、E之间的击穿电压电流曲线如下图所示：PNP型达林顿三极管BD682C、E击穿电压电流曲线深圳市凯轩业科技致力于晶体管生产研发设计，竭诚为您服务。

8550参数是一款PNP型的三极管，它的数据手册给出的各极性击穿电压为：Vcbo:40V；Vceo:25V；Vbeo:5V。下面是它对应的击穿电压曲线。对应的实测电压都比数据手册上大了一倍左右。8550的不同极之间的击穿电压曲线C1815是一款NPN型双极型三极管，数据手册给出的耐压数据为：Vcbo:60V;Vceo:50V；Vebo:5V。下面是对应的测量耐压曲线。C1815各个端口之间的反向击穿电压-电流曲线2SC2383是NPN型中级功率双极性三极管。数据手册给出的耐压极限数据为：Vcbo:160V；Vceo:160V；Vebo:160V。下面是相应的反向击穿电压测量曲线：2SC2383各个端口之间的反向击穿电压-电流曲线如果三极管的耐压不够，往往不能够通过三极管的串联来提高它的耐压等级。这主要是因为三极管是受控器件，串联之后的三极管在施加控制信号方面相对比较困难。深圳市凯轩业科技致力于晶体管产品研发及方案设计，欢迎新老客户来电！深圳肖特基二极管

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三极管是一种控制元件，三极管的作用非常的大，可以说没有三极管的发明就没有现代信息社会的如此多样化，电子管是他的前身，但是电子管体积大耗电量巨大，现在已经被淘汰。三极管主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大。反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化深圳肖特基二极管